掃描電鏡的工作模式主要根據(jù)其檢測的信號類型和成像原理進行分類，以下是常見的幾種核心工作模式：

1. 二次電子成像模式

原理：檢測被電子束激發(fā)的二次電子（能量＜50 eV），信號強度對樣品表面形貌敏感。

特點：

高分辨率（可達納米級），立體感和細節(jié)豐富。

對表面敏感，反映形貌起伏和邊緣。

應用場景：材料表面形貌觀察、斷口分析、生物樣品微觀結構。

2. 背散射電子成像模式

原理：檢測被樣品原子核反彈的背散射電子（能量接近入射電子）。

特點：

成分襯度：原子序數(shù)（Z）越大，信號越強（亮度越高）。

分辨率低于SEI，但可區(qū)分不同元素分布。

應用場景：材料成分分布、相鑒定、金屬鍍層分析。

3. 吸收電流成像模式

原理：檢測樣品對入射電子束的總吸收電流（含二次電子和背散射電子）。

特點：

反映樣品密度和厚度差異，對導電性敏感。

適用于導電樣品或內部缺陷檢測。

應用場景：半導體器件缺陷分析、復合材料界面研究。

4. 特征X射線分析模式

原理：檢測樣品受激發(fā)產(chǎn)生的特征X射線，通過能量或波長分析元素種類。

特點：

元素成分定量分析（需結合EDS或WDS探測器）。

成像與成分分析一體化（面分布或點分析）。

應用場景：材料微區(qū)成分分析、污染物鑒定。

5. 其他擴展模式

陰極發(fā)光模式：檢測電子束激發(fā)的可見光/紅外光，用于礦物、半導體材料分析。

電子通道花樣：分析晶體取向和缺陷。

環(huán)境掃描模式：允許樣品室通入氣體或保持低壓，觀察含水/非導電樣品。

總結

SEM掃描電鏡的核心工作模式以信號類型劃分，主要包括二次電子、背散射電子、吸收電流和X射線分析。其他模式（如陰極發(fā)光、ESEM）屬于功能擴展。選擇模式時需結合樣品性質（導電性、成分、環(huán)境要求）和分析目標（形貌、成分、晶體結構）。